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日期:2024-02-22 阅读:1次 作者: 工业陶瓷板
近来,巴斯夫与我国动力建造集团广东省电力规划研讨院有限公司签署协作意向书,推进其湛江一体化基地可再次出产的动力电力及低碳开展范畴的协作伙伴关系,这中心还包含为期25年的可再次出产的动力电力收买方案、动力规划、储能、碳封存捕集运用等范畴。湛江一体化基地项目是巴斯夫迄今为止最大的单笔出资项目,总出资额将达100亿欧元,并由巴斯夫独立建造运营。建成后,该基地将成为巴斯夫在全球的第三大出产基地,仅次于德国路德维希港基地和比利时安特卫普基地。
SKC半导体原资料作业相关公司SK enpulse于9月13日宣告,将现在在我国运营的湿化学事务出售给江苏雅克科技股份有限公司子公司雅克半导体,并将其清洁事务出售给出资专家北京亦盛精细半导体有限公司(简称“亦盛精细”)。
据悉,SK enpulse此次出售包含湿化学事务75%的股权和清洁事务90%的股权,金额约为8800亿韩元。9月12日举行董事会后,SK enpulse别离与雅克科技和亦盛精细签署了股票购买协议(SPA)。
据悉,扩建后的晶圆厂每年将额定出产45万片300毫米晶圆,将格芯新加坡的总产能提高到每年约150万片300毫米晶圆。
格芯的新加坡事务为全球200家客户供给服务,还包含别的两家工厂,每年别离出产72万片300毫米晶圆和69.2万片200毫米晶圆,这些芯片用于轿车和5G技能。
据外媒报导,英特尔公司日前表明已赞同将IMS Nanofabrication约10%的股份出售给台积电,此次买卖对IMS的估值约为43亿美元。
依据揭露信息,IMS Nanofabrication是一家坐落奥地利的多电子束直写光刻设备厂商,产品首要运用在于先进工艺节点光刻掩膜制作,英特尔开端于2009年出资IMS,并最总算2015年收买了该事务,自收买以来,IMS为英特尔带来明显出资报答,将其职工和出产才能增长了四倍,并交付了三代产品。
今年以来,英特尔对这一重要事务财物打开股权重组,6月宣告将IMS事务约20%的股份出售给贝恩本钱,彼时买卖估值同为43亿美元,公告介绍称,引进外部出资者将使IMS经过加快创新和完成更深化的跨职业协作来捉住多光束掩模写入东西的重要商场时机。
东京大学日前开宣布了经过光学办法构建的薄膜和柔性多点3轴压力传感器。该传感器能检测3厘米 x 4厘米区域内3轴压力的散布,高精度法向和切向压力感应别离高达360和100千帕。多孔橡胶用作3轴压敏光调制器,省掉了厚而刚性的聚集体系,而不会献身灵敏度。此外,经过集成薄而灵敏的背光和成像器,传感器的总厚度为1.5毫米,即便曲折到18毫米的半径,也能正常作业,有望应用于机器人的电子皮肤和保健等范畴。
近来,日本工业技能归纳研讨所(AIST)开宣布将钛酸钡(BTO)立方单晶(纳米立方)单层薄膜用作介电层,多层石墨烯薄膜用作电极层替换层压工艺技能。据介绍,该技能有望成为完成多层陶瓷电容器 (MLCC) 内介电层和电极层替换层压结构大幅薄化的根底技能。
迄今为止,AIST已成功运用水热法合成了BTO纳米立方体,并制备了厚度约为20 nm的单层薄膜,其间BTO纳米立方体以二维方法规矩摆放。此次开发与电极层替换层压技能,使BTO纳米立方单层薄膜能用作MLCC内部的介电层。在这项研讨中,研讨员开发了一种工艺技能,将尺度约为20 nm的BTO纳米立方体二维摆放的单层薄膜和厚度为2~3nm的多层石墨烯替换堆叠。
日前,日本企业OKI与信越化学联合开发了一项新技能,该技能将完成低本钱笔直GaN(氮化镓)功率器材。该技能仅从“QST基板”(一种专用于GaN成长的复合资料基板)上剥离GaN功用层,并将其粘合到不一样的资料的基板上。假如选用新技能完成笔直GaN功率器材,与现存技能比较,将有或许将本钱下降至十分之一左右。
OKI和信越化学开发的新技能是运用OKI开发的“CFB(晶体薄膜键合)技能”别离在信越化学共同改善的QST衬底上成长的单晶GaN,并键合异种资料衬底。这使得在GaN中完成笔直导电性并一起添加晶圆直径成为或许,“有助于社会上可施行的笔直GaN功率器材的完成和遍及的运用。”
Enpower Japan在日本横滨市建立了可单独开发锂金属二次电池的试制工厂。依照电池的蓄电容量换算,这个具有年产1万千瓦时才能的工厂方案从今年底开端分阶段发动,将供给容量约为现有锂离子电池(LiB)1.5倍的电池,推进无人机和轿车等范畴的需求。
该公司,还方案24年春开端供给18650和21700两种标准的圆筒形锂金属电池样品,时机成熟后还将参加压板型电池种类。
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